تعمل شركات أمريكية ويابانية على تمويل مشروع يمكنهما من إنتاج ذاكرة عشوائية جديدة مبدئيا لاستخدامها في أجهزة الكترونية ذكية من الجيل القادم.
وستتحول تلك الذاكرة بفضل انخفاض استهلاك الطاقة وصغر حجمها إلى عنصر مثالي للأجهزة اللوحية والهواتف الذاكية المستقبلية.
ويضم الكونسورسيوم الذي يعمل على تصميم النوع الجديد من الذاكرة العشوائية شركات كبرى مثل “طوكيو ألكترون” و”شين أتسو شيمينال” و”رينيساز ألكترونيكس” و”هيتاشي” و”ميكرون تكنولوجي” وغيرها.
وتعد تلك الشركات باستبدال ذاكرة ديناميكية “DRAM” تتوفر في أي هاتف ذكي أو جهاز كومبيوتر شخصي بما يسمى بذاكرة “MRAM” المستندة إلى مبدأ المقاومة المغناطيسية.
وتجري التصاميم في هذا المجال منذ تسعينات القرن الماضي. وقد درست منذ ذلك الحين كل صفات ذاكرة “MRAM”، علما أنها تقوم بتخزين معلومات بواسطة عزم مغناطيسي وليست شحنات كهربائية.
ويسمح مثل هذا المبدأ بزيادة حجم المعلومات المخزنة بعشرة أضعاف وتخفيض استهلاك الطاقة الكهربائية إلى حد كبير. وبحسب المعلومات المتوفرة لدى صحيفة “نيكاي” اليابانية فإن ألواح ذاكرة “MRAM” ستستهلك طاقة كهربائية تقل بـ 3 أضعاف عما هو عليه لدى ألواح “DRAM”.
وأكد معدو المشروع أن تسويق الذاكرة “MRAM” سيبدأ بحلول عام 2018. يذكر أن شركة “أفير سبين تكنولوجي” تقوم حاليا بصنع ألواح “MRAM”، لكنها لم تبدأ إلى حد الآن تسويق أجهزة مصنوعة على أساس هذه التكنولوجيا.
وفي حال نجاح “أفير سبين تكنولوجي” في تسويقها يمكن أن تتحول إلى شركة رائدة في هذا القطاع من السوق قبل أن يحقق الكونسورسيوم الأمريكي الياباني أهدافه.
